[实用新型]高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201920107121.4 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN209747521U | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | F·尤克拉诺 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极区域 掺杂剂杂质 掺杂 异质结构 高电子迁移率晶体管 延伸 半导体异质结构 | ||
1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：
半导体异质结构；
第一掺杂栅极区域，在所述异质结构之上延伸并且包含P型的掺杂剂杂质；
第二掺杂栅极区域，具有与所述第一掺杂栅极区域接触的第一侧和与所述异质结构接触的第二侧，所述第二掺杂栅极区域包含所述P型的掺杂剂杂质，其中所述异质结构包括：
第一部分，在所述第二掺杂栅极区域的所述第二侧处延伸，并且具有第一浓度的所述P型的掺杂剂杂质；以及
第二部分，与所述第一部分横向地延伸，并且具有低于所述第一浓度的第二浓度的所述P型的掺杂剂杂质。
2.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于：
所述第一掺杂栅极区域具有在1018cm-3和5×1019cm-3之间的所述P型的掺杂剂杂质的浓度；
所述第二掺杂栅极区域的所述第二侧具有在1018cm-3和1019cm-3之间的所述P型的掺杂剂杂质的浓度；并且
在与所述第二掺杂栅极区域相距20nm的横向距离处，所述异质结构的所述第二部分具有小于1017cm-3的所述P型的掺杂剂杂质的浓度。
3.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述第二掺杂栅极区域具有在2nm和30nm之间的厚度。
4.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，还包括保护区域，所述保护区域在所述异质结构的所述第二部分上、并且在所述第二掺杂栅极区域旁边延伸，所述保护区域与所述异质结构的所述第二部分和所述第二掺杂栅极区域接触；所述保护区域具有在1nm和5nm之间的厚度。
5.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，还包括与所述异质结构电接触的源极电极和漏极电极，所述源极电极和所述漏极电极在所述第一掺杂栅极区域和所述第二掺杂栅极区域旁边、并且在与所述第一掺杂栅极区域和所述第二掺杂栅极区域相距一定距离处延伸。
6.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述异质结构包括：
沟道层；以及
在所述沟道层上延伸的阻挡层，其中所述沟道层和所述阻挡层是由包括III-V族元素的相应的化合物材料制成的。
7.根据权利要求6所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述沟道层由本征氮化镓制成，并且具有在100nm和1μm之间的厚度，并且所述阻挡层由氮化铝镓制成，并且具有在5nm和30nm之间的厚度。
8.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述第二掺杂栅极区域由本征氮化镓制成，并且所述第一掺杂栅极区域由包含镁掺杂剂杂质的氮化镓制成。
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