[发明专利]具有叠置单元的半导体结构及制造方法、电子设备有效
| 申请号： | 201911419083.7 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111049489B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 张巍;庞慰;张兰月;温攀;张孟伦;杨清瑞 | 申请（专利权）人： | 诺思（天津）微系统有限责任公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H3/04;H03H9/02;H03H9/13;H03H9/205;H03H9/54;H03H9/70 |
| 代理公司： | 北京金诚同达律师事务所 11651 | 代理人： | 汤雄军 |
| 地址： | 300462 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有叠置单元的半导体结构，包括：保护层，具有上表面与下表面；多个单元，在保护层的下表面沿保护层的厚度方向依次叠置，每一个单元包括基底，最上侧单元的基底与保护层之间限定第一容纳空间，相邻叠置的上、下单元的基底之间限定第二容纳空间，至少一个单元的基底设置有芯片，所述芯片位于对应的容纳空间内；和多个导电通孔，每个导电通孔自保护层的上表面穿过保护层沿保护层的厚度方向向下延伸而与对应的单元电连接，且所述多个导电通孔包括穿过保护层和至少一个单元的基底的多个跨层导电通孔。本发明还涉及叠置单元的半导体结构的制造方法及具有该结构的电子设备。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 单元 半导体 结构 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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