[发明专利]一种GaN多孔微米方块/碳复合材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 201911414300.3 申请日: 2019-12-31
公开(公告)号: CN111071998A 公开(公告)日: 2020-04-28
发明(设计)人: 倪世兵;杨淑越;陆俊霖;杨学林 申请(专利权)人: 三峡大学
主分类号: C01B21/06 分类号: C01B21/06;C01B32/05;H01M4/58;H01M4/62;H01M10/0525
代理公司: 宜昌市三峡专利事务所 42103 代理人: 成钢
地址: 443002 *** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种GaN多孔微米方块/碳复合材料的制备方法。其具体操作如下:称取一定量Ga(NO3)3、C6H12N4、C6H12O6和氧化石墨烯以质量比为100‑150:150‑200:0‑7:2‑4添加去离子水搅拌20‑40min至其均匀分散;将悬浮液转移到水热反应釜内衬中,在鼓风烘箱中120‑180℃反应12‑36h后,自然冷却至室温;将产物冷冻干燥后直接在氨气下退火(温度为650‑850℃,时间为5‑10h)得到GaN多孔微米方块/碳复合材料。本发明将GaN多孔微米方块/碳复合材料用作锂离子电池负极,显示了良好电化学性能。
搜索关键词: 一种 gan 多孔 微米 方块 复合材料 制备 方法
【主权项】:
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