[发明专利]一种GaN多孔微米方块/碳复合材料的制备方法在审
| 申请号： | 201911414300.3 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111071998A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 倪世兵;杨淑越;陆俊霖;杨学林 | 申请（专利权）人： | 三峡大学 |
| 主分类号： | C01B21/06 | 分类号： | C01B21/06;C01B32/05;H01M4/58;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443002 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 多孔 微米 方块 复合材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaN多孔微米方块/碳复合材料的制备方法，其特征在于，具体制备工艺如下：
（1）称取一定量Ga(NO3)3、C6H12N4、C6H12O6和氧化石墨烯添加去离子水搅拌至其均匀分散得到悬浮液；
（2）将悬浮液转移到水热反应釜内衬中，120-180℃下水热反应12-36h，自然冷却至室温；
（3）将得到的产物冷冻干燥，在氨气气氛下退火得到GaN多孔微米方块/碳复合材料。
2.根据权利要求1所述的GaN多孔微米方块/碳复合材料的制备方法，其特征在于，步骤（1）中Ga(NO3)3、C6H12N4、C6H12O6和氧化石墨烯的质量比为100-150：150-200：0-7：2-4。
3.根据权利要求1所述的GaN多孔微米方块/碳复合材料的制备方法，其特征在于，步骤（3）中氨气气氛下以5-10℃min-1的升温速率升温至650-850℃，保温时间为5-10h。
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