[发明专利]极性控制方法、氮化物薄膜制备方法和氮化物薄膜有效
| 申请号： | 201911408963.4 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111128689B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 李成果;曾巧玉;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省半导体产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 武成国 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供了一种极性控制方法、氮化物薄膜制备方法和氮化物薄膜，涉及半导体技术领域。该极性控制方法在单晶体衬底上生长具有反演对称中心的界面层，所述界面层用于提供氮极性表面，其中，所述单晶体衬底在垂直方向上的原子具有六方密堆排布结构。通过在所述单晶体衬底上生长具有反演对称中心的界面层，可实现对氮极性的有效控制。 | ||
| 搜索关键词： | 极性 控制 方法 氮化物 薄膜 制备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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