[发明专利]极性控制方法、氮化物薄膜制备方法和氮化物薄膜有效
| 申请号： | 201911408963.4 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111128689B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 李成果;曾巧玉;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省半导体产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 武成国 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 极性 控制 方法 氮化物 薄膜 制备 | ||
1.一种极性控制方法，其特征包括：
在单晶体衬底上生长具有反演对称中心的界面层，所述界面层用于提供氮极性三族氮化物薄膜生长表面，其中，所述单晶体衬底在垂直方向上的原子具有六方密堆排布结构；
在所述界面层上生长氮极性保护层，以保护所述界面层不被分解；
基于气相外延法在所述氮极性保护层上生长具有氮极性的三族氮化物薄膜。
2.根据权利要求1所述的极性控制方法，其特征在于，所述单晶体衬底为硅衬底。
3.根据权利要求1所述的极性控制方法，其特征在于，所述单晶体衬底为制备有具有金属极性的三族氮化物的单晶体衬底。
4.根据权利要求3所述的极性控制方法，其特征在于，所述在单晶体衬底上生长具有反演对称中心的界面层的步骤包括：
基于表面氧化工艺法，在所述单晶体衬底上生成具有反演对称中心的界面层，其中，所述界面层为具有氧极性表面的金属氧化物薄膜。
5.根据权利要求2或3所述的极性控制方法，其特征在于，所述在单晶体衬底上生长具有反演对称中心的界面层的步骤包括：
基于金属有机物气相外延法，或者基于分子束外延法，通入金属源以及氮源，在所述单晶体衬底上沉积具有反演对称中心的界面层。
6.一种氮化物薄膜制备方法，其特征在于，采用权利要求1-5任意一项所述的极性控制方法生成界面层，所述界面层用于提供氮极性表面。
7.根据权利要求6所述的氮化物薄膜制备方法，其特征在于，所述氮极性保护层与所述界面层的生长温度相同。
8.一种氮化物薄膜，其特征在于，采用权利要求6-7任意一项所述的氮化物薄膜制备方法制作形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
