[发明专利]还原炉底盘及多晶硅还原炉

摘要

本发明涉及多晶硅生产技术领域，尤其是涉及一种还原炉底盘及多晶硅还原炉。还原炉底盘包括底盘主体，底盘主体上安装有多圈电极组；底盘主体包括相对间隔设置的第一底盘、第二底盘和第三底盘，以及位于第二底盘和第一底盘之间的多个导流环板；第三底盘上开设有进气孔，用于向进气腔室内通气；导流环板形成环形的导流通道且导流通道的两端分别与进气腔室和还原炉相连通；多个导流环板呈同心间隔分布于任意相邻的两圈电极组之间。原料气体经由环形的导流通道均匀地进入到还原炉内，从而在一定程度上提高原料气体在还原炉内的流场分布及温度分布，原料气体能够更均匀地沉积在硅棒上生成多晶硅，进而也在一定程度上避免倒棒、硅棒偏心等现象的发生。