[发明专利]还原炉底盘及多晶硅还原炉

权利要求书

1.一种还原炉底盘，其特征在于，包括底盘主体；

所述底盘主体用于安装包括多个呈同心间隔分布的电极组；

所述底盘主体包括相对间隔设置的第一底盘、第二底盘和第三底盘；所述第一底盘和所述第二底盘之间形成冷却腔室，所述第二底盘和所述第三底盘之间形成进气腔室；

所述第三底盘形成进气孔，用于向所述进气腔室通气；

所述冷却腔室内设置导流环板，所述导流环板的数量为多个，多个所述导流环板呈同心间隔设置于任意相邻的两个所述电极组之间；所述导流环板形成导流通道，所述导流通道的一端与所述进气腔室相连通，所述导流通道的另一端能够与还原炉相连通。

2.根据权利要求1所述的还原炉底盘，其特征在于，所述第一底盘形成多个第一环隙，所述第二底盘形成多个第二环隙；

多个第一环隙和多个第二环隙分别与多个导流环板一一对应，所述导流环板内的所述导流通道的一端与所述第二环隙相连通；

所述导流环板的另一端通过所述第一环隙穿过所述第一底盘，以伸入到所述还原炉内预定高度。

3.根据权利要求2所述的还原炉底盘，其特征在于，所述导流环板位于所述还原炉内的一端的端部设置有挡板，用于遮挡所述导流通道的部分；

所述挡板的数量为多个，多个所述挡板间隔分布。

4.根据权利要求2所述的还原炉底盘，其特征在于，所述导流环板位于所述还原炉内的一端还设置有换向环板；

所述换向环板形成换向通道，所述换向通道的一端与所述导流通道相连通，所述换向通道的另一端与所述导流通道具有预定的倾斜角度。

5.根据权利要求2所述的还原炉底盘，其特征在于，所述导流环板位于所述还原炉内的一端还连接有延长环板；

所述延长环板形成延长通道，且所述延长通道的一端与所述导流通道相连通。

6.根据权利要求1所述的还原炉底盘，其特征在于，每个所述电极外均设置有套筒，且所述第一底盘、所述第二底盘和所述第三底盘上对应所述电极的安装位置处开设有安装孔；

所述套筒的一端与所述第一底盘上的所述安装孔相连通，所述套筒的另一端穿过所述第二底盘上的所述安装孔并与所述第三底盘上的所述安装孔相连通。

7.根据权利要求1所述的还原炉底盘，其特征在于，还包括冷却水循环管；

所述冷却水循环管均匀分布于所述冷却腔室内。

8.根据权利要求1所述的还原炉底盘，其特征在于，所述底盘主体上还设置有排气管，用于排出所述还原炉内的反应尾气。

9.根据权利要求1所述的还原炉底盘，其特征在于，所述进气孔的数量为多个，多个所述进气孔间隔分布。

10.一种多晶硅还原炉，其特征在于，包括权利要求1-9中任一项所述的还原炉底盘。