[发明专利]硅基光波导器件的制造方法有效
| 申请号： | 201911398161.X | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111077607B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 张鹏;唐波;李志华;李彬;刘若男 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/136 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基光波导器件的制造方法，包括：形成SOI衬底，所述SOI衬底包括至下而上依次层叠设置的硅衬底、埋氧层以及顶硅层；对所述顶硅层进行刻蚀，形成波导结构和第一凹槽；在所述波导结构的上表面和所述埋氧层的上表面形成上包层，所述上包层的材料和所述埋氧层的材料相同；对所述上包层和所述埋氧层进行刻蚀，形成第二凹槽；对所述硅衬底进行刻蚀，形成第三凹槽，所述第三凹槽的深度小于所述硅衬底的厚度，且所述第三凹槽的水平投影与所述第二凹槽的水平投影重合。本发明提供的硅基光波导器件的制造方法，在形成用于端面耦合的深槽结构时，刻蚀工艺只需要切换一次，因而简化了刻蚀菜单，降低了刻蚀难度和对光刻胶厚度的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基光 波导 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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