[发明专利]硅基光波导器件的制造方法

权利要求书

1.一种硅基光波导器件的制造方法，其特征在于，包括：

形成SOI衬底，所述SOI衬底包括至下而上依次层叠设置的硅衬底、埋氧层以及顶硅层；

对所述顶硅层进行刻蚀，形成波导结构和第一凹槽，所述第一凹槽的深度与所述顶硅层的厚度相同；

在所述波导结构的上表面和所述埋氧层的上表面形成上包层，所述上包层的材料和所述埋氧层的材料相同；

对所述上包层和所述埋氧层进行刻蚀，形成第二凹槽，所述第二凹槽的深度为所述上包层的厚度、所述顶硅层的厚度以及所述埋氧层的厚度之和，且所述第二凹槽的水平投影落入所述第一凹槽的水平投影内；

对所述硅衬底进行刻蚀，形成第三凹槽，所述第三凹槽的深度小于所述硅衬底的厚度，且所述第三凹槽的水平投影与所述第二凹槽的水平投影重合。

2.根据权利要求1所述的硅基光波导器件的制造方法，其特征在于，所述形成SOI衬底包括：

提供第一衬底；

向所述第一衬底注入氧离子。

3.根据权利要求1所述的硅基光波导器件的制造方法，其特征在于，所述形成SOI衬底包括：

提供第一衬底，并在所述第一衬底上形成第一氧化层；

提供第二衬底，并在所述第二衬底上形成第二氧化层；

连接所述第一氧化层和所述第二氧化层。

4.根据权利要求1所述的硅基光波导器件的制造方法，其特征在于，所述对所述顶硅层进行刻蚀包括：

采用干法刻蚀工艺对所述顶硅层进行刻蚀。

5.根据权利要求1所述的硅基光波导器件的制造方法，其特征在于，所述在所述波导结构的上表面和所述埋氧层的上表面形成上包层包括：

采用高温氧化气相沉积工艺在所述波导结构的上表面和所述埋氧层的上表面形成所述上包层。

6.根据权利要求1所述的硅基光波导器件的制造方法，其特征在于，所述对所述上包层和所述埋氧层进行刻蚀包括：

采用干法刻蚀工艺对所述上包层和所述埋氧层进行刻蚀。

7.根据权利要求1所述的硅基光波导器件的制造方法，其特征在于，所述对所述硅衬底进行刻蚀包括：

采用干法刻蚀工艺对所述硅衬底进行刻蚀，所述第三凹槽的深度为60微米至140微米。

8.根据权利要求1所述的硅基光波导器件的制造方法，其特征在于，所述埋氧层的材料为二氧化硅，所述埋氧层的厚度为2微米至3微米。

9.根据权利要求1所述的硅基光波导器件的制造方法，其特征在于，所述顶硅层的厚度为200纳米至240纳米。

10.根据权利要求1所述的硅基光波导器件的制造方法，其特征在于，所述上包层的材料为二氧化硅，所述上包层的厚度为1微米至4微米。