[发明专利]一种可控硅模块及其制备方法在审
申请号: | 201911386973.2 | 申请日: | 2019-12-29 |
公开(公告)号: | CN111081669A | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 罗文华;陈华军 | 申请(专利权)人: | 昆山晶佰源半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/49 | 分类号: | H01L23/49;H01L21/50;H01L21/60 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种可控硅模块及其制备方法,包括底座,所述底座上固定有模块内组件,所述模块内组件上焊接有GK极引线,所述底座上安装有壳体,所述壳体内设置有外部GK电极和连接头,所述GK极引线穿过连接头的通孔与外部GK电极连接。本发明,一次真空高温共晶工艺,产品空洞小,热阻低;内部GK电极内部无需人工焊引出线,可靠性高;产品制作工序少,过程控制简单,人工成本低;整个产品焊接工艺先进,装配工序简单,成本低,品质可靠。 | ||
搜索关键词: | 一种 可控硅 模块 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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