[发明专利]一种可控硅模块及其制备方法在审
| 申请号： | 201911386973.2 | 申请日： | 2019-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN111081669A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 罗文华;陈华军 | 申请（专利权）人： | 昆山晶佰源半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可控硅 模块 及其 制备 方法 | ||
1.一种可控硅模块，包括底座（1），其特征在于：所述底座（1）上固定有模块内组件（2），所述模块内组件（2）上焊接有GK极引线（3），所述底座（1）上安装有壳体（4），所述壳体（4）内设置有外部GK电极（5）和连接头（6），所述GK极引线（3）穿过连接头（6）的通孔与外部GK电极（5）连接。
2.根据权利要求1所述的一种可控硅模块，其特征在于：所述模块内组件（2）上共焊接有4根GK极引线（3），所述GK极引线（3）采用细铜线。
3.根据权利要求2所述的一种可控硅模块，其特征在于：所述外部GK电极（5）共设置有4个，4个外部GK电极（5）分别对应4根GK极引线（3）。
4.根据权利要求1所述的一种可控硅模块的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤一：通过模具将可控硅模块的零件装配在一起；
步骤二：采用真空共晶工艺将可控硅模块的零件组合在一起，得到内部焊接件，且焊接件引出GK细铜；
步骤三：将引出GK细铜线与外部GK电极连接，既可口制成可控硅模块。
5.根据权利要求4所述的一种可控硅模块的制备方法，其特征在于：步骤二中所述共晶工艺采用真空共晶炉且有充保护气体，将内部所有零件焊接一起，且焊料为焊锡。
6.根据权利要求4所述的一种可控硅模块及其制备方法，其特征在于：步骤二中所述内部焊接件由引出4根细铜线做为GK电极引线。
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