[发明专利]一种硅基宽禁带材料及其制作方法在审
| 申请号： | 201911386150.X | 申请日： | 2019-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN111041561A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;王雨龙;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B31/22 | 分类号： | C30B31/22;C30B29/06;H01L21/265;H01L29/167 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明提出了一种硅基宽禁带材料及其制作方法，以解决第一代半导体材料禁带宽度窄、应用范围较小的问题。本发明在硅晶胞的基础上掺杂碳原子进行新材料的设计，保证新材料与硅结构的一致性，控制掺杂浓度以调节禁带宽度，其中，大小为1*5*1的Si |
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| 搜索关键词： | 一种 硅基宽禁带 材料 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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