[发明专利]一种硅基宽禁带材料及其制作方法在审
| 申请号： | 201911386150.X | 申请日： | 2019-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN111041561A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;王雨龙;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B31/22 | 分类号： | C30B31/22;C30B29/06;H01L21/265;H01L29/167 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅基宽禁带 材料 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅基宽禁带材料，其特征在于：其基本单元是基于Si晶胞的Si1-xCx超晶胞，x表示所述超晶胞中x·100％的原Si原子被替换为C原子，C原子在整个超晶胞中均匀分布；0.1≤x≤0.35。
2.根据权利要求1所述的硅基宽禁带材料，其特征在于：所述超晶胞的三维尺寸为1*5*1，所述超晶胞中30％的原Si原子被替换为C原子。
3.根据权利要求2所述的硅基宽禁带材料，其特征在于：1*5*1的超晶胞的晶格常数分别为5.4305、27.1535和5.4305。
4.根据权利要求2所述的硅基宽禁带材料，其特征在于：1*5*1的超晶胞中，5个Si晶胞分别替位式掺杂C原子的个数为2、3、2、3、2，避免产生C-C键。
5.权利要求1所述硅基宽禁带材料的制作方法，其特征在于，包括：
取样品单晶硅，通过离子注入工艺以设定的角度注入C+；
通过高温热退火工艺使注入的C+进入目标晶格位置，最终形成Si1-xCx超晶胞结构的材料。
6.根据权利要求5所述的硅基宽禁带材料的制作方法，其特征在于：所述离子注入工艺控制注入离子加速器的能量在100Kv。
7.根据权利要求5所述的硅基宽禁带材料的制作方法，其特征在于：在离子注入过程中另采用水冷托架，以控制在离子注入过程中样品的温度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911386150.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
