[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201911378954.5 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN113053816B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 蔡巧明;魏兰英 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 100176 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种半导体结构及其形成方法，使所述半导体结构在高压器件区的栅氧化层大部分嵌入所述半导体衬底中，从而使高压器件区与非高压器件区在形成栅氧化层之后具有接近水平的表面。所述半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有多个隔离结构，所述半导体衬底表面依次形成有衬垫氧化层和掩膜层，所述掩膜层具有第一开口，所述第一开口对应于所述隔离结构之间的半导体衬底以及部分隔离结构；去除所述第一开口暴露出的衬垫氧化层；刻蚀所述半导体衬底，使所述隔离结构之间的半导体衬底形成类∑形状的凹陷部；在所述凹陷部内生长栅氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
