[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有多个隔离结构，所述半导体衬底表面依次形成有衬垫氧化层和掩膜层，所述掩膜层具有第一开口，所述第一开口对应于所述隔离结构之间的半导体衬底以及部分隔离结构；

去除所述第一开口暴露出的衬垫氧化层；

刻蚀所述半导体衬底，使所述隔离结构之间的半导体衬底形成类∑形状的凹陷部；

在所述凹陷部内生长栅氧化层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成类∑形状的凹陷部后，所述方法还包括：去除所述凹陷部与所述隔离结构连接处的部分隔离结构，露出所述凹陷部的顶端。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法还包括：去除所述掩膜层。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述掩膜层后，所述方法还包括：减薄所述衬垫氧化层。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底包括高压器件区和非高压器件区，所述栅氧化层形成于高压器件区。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀或采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述半导体衬底，使所述隔离结构之间的半导体衬底形成类∑形状的凹陷部。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺中刻蚀液包括TMAH。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺中刻蚀气体包括CF₄。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用热氧化工艺在所述凹陷部内生长栅氧化层。

10.一种半导体结构，其特征在于，包括：

半导体衬底；

隔离结构，位于所述半导体衬底中；

衬垫氧化层，位于半导体衬底的表面；

栅氧化层，位于所述隔离结构之间的，未被所述衬垫氧化层覆盖的半导体衬底中，其中，所述栅氧化层采用热氧化所述位于半导体衬底内的类∑形状的凹陷部形成。

11.如权利要求10所述半导体结构，其特征在于，所述半导体衬底包括高压器件区和非高压器件区，所述栅氧化层位于高压器件区。

12.如权利要求10所述半导体结构，其特征在于，所述栅氧化层的表面与所述衬垫氧化层的表面基本持平。