[发明专利]基于氧化铝薄膜的一次写入多次读取存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201911377941.6 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111129296A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 刘振;王莉 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 广东广信君达律师事务所 44329 | 代理人： | 张燕玲 |
| 地址： | 510062 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于存储器领域，公开了一种基于氧化铝薄膜的一次写入多次读取存储器及其制备方法。该存储器自下而上依次设置衬底、氧化铝薄膜和上电极；其中，衬底是ITO导电玻璃，氧化铝薄膜的厚度为120nm，上电极是圆点状的Ag。本发明通过溶胶‑凝胶法制备了氧化铝薄膜，该方法制作简单，成本低；同时，通过旋涂法制备氧化铝薄膜，实现了非易失性一次写入多次读取存储器的制备；同时基于薄膜对衬底的无依赖性，以柔性导电材料为下电极，实现基于氧化铝薄膜的柔性存储器的制备，适应未来柔性电子器件的发展需求。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氧化铝 薄膜 一次 写入 多次 读取 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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