[发明专利]基于氧化铝薄膜的一次写入多次读取存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于氧化铝薄膜的一次写入多次读取存储器，其特征在于：该存储器自下而上依次设置衬底、氧化铝薄膜和上电极；其中，衬底是ITO导电玻璃，氧化铝薄膜的厚度为120nm，上电极是圆点状的Ag。

2.根据权利要求1所述的一种基于氧化铝薄膜的一次写入多次读取存储器的制备方法，其特征在于包括以下操作步骤：

(1)将ITO导电玻璃依次用去离子水、丙酮、乙醇超声波清洗30min，然后用氮气清洗干净备用；

(2)先将3g二水柠檬酸钠和5g硝酸银反应得到4g柠檬酸银粉末；再将4ml1,2-丙二胺、6ml异丙醇、10ml甲醇混合，在5℃下加入柠檬酸钠粉末，以600r/min的搅拌速度搅拌一个小时，得到导电Ag墨水；

(3)硝酸铝九水合物作溶质，乙二醇甲醚作溶剂，将20ml乙二醇甲醚和3g硝酸铝九水合物混合，搅拌均匀，配制成浓度为0.4mol/L的氧化铝溶液；

(4)将步骤(3)所得氧化铝溶液采用旋涂法制备氧化铝薄膜，滴胶速度设为500r/min，时间设为20s，匀胶速度设为3000r/min，时间设为15s，旋涂三层，每一层旋涂之后在75℃下加热3min，旋涂后退火2小时，得到氧化铝薄膜；

(5)用喷墨打印机在步骤(4)所得氧化铝薄膜上用步骤(2)所得导电Ag墨水打印圆点状的Ag电极，得到完整的基于氧化铝薄膜的一次写入多次读取存储器。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：步骤(5)所述导电Ag墨水在220℃退火30min即可得到导电的Ag电极。