[发明专利]实现硅基场漂移探测器电势均匀分布的互联结构在审

专利信息
申请号: 201911375480.9 申请日: 2019-12-27
公开(公告)号: CN111261727A 公开(公告)日: 2020-06-09
发明(设计)人: 王小东;付智红;涂戈;姜华男 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十四研究所
主分类号: H01L31/02 分类号: H01L31/02;H01L31/0224;H01L31/08;H01L31/115
代理公司: 重庆辉腾律师事务所 50215 代理人: 王海军
地址: 400060 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明涉及硅基场漂移探测器的结构,特别涉及实现硅基场漂移探测器电势均匀分布的互联结构,所述互联结构由N个P型注入形成的同心电极圆环,相邻两个同心电极圆环之间通过连接电阻连接形成,连接电阻为P型的沟道电阻,互联的N个P型注入形成的同心电极圆环通过芯片级金属顶层布线,将最内层的同心电极圆环和最外层的同心电极圆环引出,并将这两个同心电极圆环连线的引出端口以压焊PAD的方式,通过键合引线与环形硅基场漂移探测器外部的管壳连接;本发明中的互联结构,可实现场漂移探测器结构简单、驱动简单、引出端和电压配置的个数少、各电极环电压自动分布、有效探测面积不受引出端口数限制、快速高效探测的目标。
搜索关键词: 实现 硅基场 漂移 探测器 电势 均匀分布 联结
【主权项】:
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