[发明专利]实现硅基场漂移探测器电势均匀分布的互联结构在审
申请号: | 201911375480.9 | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN111261727A | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 王小东;付智红;涂戈;姜华男 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/0224;H01L31/08;H01L31/115 |
代理公司: | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人: | 王海军 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明涉及硅基场漂移探测器的结构,特别涉及实现硅基场漂移探测器电势均匀分布的互联结构,所述互联结构由N个P型注入形成的同心电极圆环,相邻两个同心电极圆环之间通过连接电阻连接形成,连接电阻为P型的沟道电阻,互联的N个P型注入形成的同心电极圆环通过芯片级金属顶层布线,将最内层的同心电极圆环和最外层的同心电极圆环引出,并将这两个同心电极圆环连线的引出端口以压焊PAD的方式,通过键合引线与环形硅基场漂移探测器外部的管壳连接;本发明中的互联结构,可实现场漂移探测器结构简单、驱动简单、引出端和电压配置的个数少、各电极环电压自动分布、有效探测面积不受引出端口数限制、快速高效探测的目标。 | ||
搜索关键词: | 实现 硅基场 漂移 探测器 电势 均匀分布 联结 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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