[发明专利]实现硅基场漂移探测器电势均匀分布的互联结构在审
| 申请号： | 201911375480.9 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111261727A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 王小东;付智红;涂戈;姜华男 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/0224;H01L31/08;H01L31/115 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 王海军 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 实现 硅基场 漂移 探测器 电势 均匀分布 联结 | ||
1.硅基场漂移探测器电势均匀分布的互联结构，其特征在于，包括N个P型注入形成的同心电极圆环，相邻两个同心电极圆环之间通过互联电阻连接，形成互联结构。
2.根据权利要求1所述的硅基场漂移探测器电势均匀分布的互联结构，其特征在于，一个互联电阻从圆心向外呈一字型互联从内到外的N个同心电极圆环。
3.根据权利要求2所述的硅基场漂移探测器电势均匀分布的互联结构，其特征在于，互联电阻的数量大于等于2，且均匀地分布在同心电极圆环上。
4.根据权利要求1所述的硅基场漂移探测器电势均匀分布的互联结构，其特征在于，互联结构电阻为P型的沟道电阻。
5.根据权利要求4所述的硅基场漂移探测器电势均匀分布的互联结构，其特征在于，P型的沟道电阻的阻值为100kΩ到5000kΩ，P型互联电阻的离子注入剂量从1×10-11cm-2到1×10-13cm-2。
6.根据权利要求1所述的硅基场漂移探测器电势均匀分布的互联结构，其特征在于，互联电阻完全填充在相邻两个同心电极圆环之间。
7.根据权利要求1～6所述的任一硅基场漂移探测器电势均匀分布的互联结构，其特征在于，互联的N个P型注入形成的同心电极圆环通过芯片级金属顶层布线，将最内层的同心电极圆环和最外层的同心电极圆环引出，并将这两个同心电极圆环连线的引出端口以压焊PAD的方式，通过键合引线与环形硅基场漂移探测器外部的管壳连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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