[发明专利]VCSEL激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 201911373905.2 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN113054530B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 王朝成;田志伟;郭铭浩;李念宜;王立 | 申请（专利权）人： | 浙江睿熙科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 宁波市道同知识产权代理有限公司 33478 | 代理人： | 谢华 |
| 地址： | 311113 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请提供一种VCSEL激光器及其制备方法。该方法包括：形成外延结构，所述外延结构自下而上依次包括衬底、缓冲层、N型掺杂的DBR、有源区、限制层、P型掺杂的DBR和欧姆接触层；通过蚀刻工艺在所述外延结构上形成台面结构；通过特定清洗剂对所述台面结构进行清洗处理其中，所述清洗剂为不具有蚀刻半导体能力的溶液或溶剂；通过氧化工艺氧化所述限制层，以形成具有特定孔径的开孔；在所述台面结构上沉积非金属隔离层；以及，在所述欧姆接触层的上表面形成第一电极和在所述衬底的下表面形成第二电极。这样，有效地克服在氧化制程中出现的分层现象，以优化所述VCSEL激光器的结构。 | ||
| 搜索关键词： | vcsel 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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