[发明专利]VCSEL激光器及其制备方法

权利要求书

1.一种VCSEL激光器的制备方法，其特征在于，包括：

形成外延结构，所述外延结构自下而上依次包括衬底、缓冲层、N型掺杂的DBR、有源区、限制层、P型掺杂的DBR和欧姆接触层；

通过蚀刻工艺在所述外延结构上形成台面结构；

通过特定清洗剂对所述台面结构进行清洗处理，以去除在形成所述台面结构过程中所产生的蚀刻副产物和保留在形成所述台面结构的过程中形成于所述台面结构的侧表面的原生氧化物，其中，所述清洗剂为不具有蚀刻半导体能力的溶剂或溶液；

通过氧化工艺氧化所述限制层，以形成具有特定孔径的开孔，其中在氧化所述限制层以形成具有特定孔径的开孔的过程中，所述P型掺杂的DBR、N型掺杂的DBR与有源区的侧表面被形成于所述P型掺杂的DBR、N型掺杂的DBR与有源区的侧表面的所述原生氧化物所保护，其中所述限制层的侧表面上的所述原生氧化物防止过度氧化；

在所述台面结构上沉积非金属隔离层；以及

在所述欧姆接触层的上表面形成第一电极和在所述衬底的下表面形成第二电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，在通过氧化工艺氧化所述限制层，以形成具有特定孔径的开孔之后，以及，在所述台面结构上沉积非金属隔离层之前，还包括：

通过所述清洗剂对所述台面结构进行清洗处理。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其中，在通过蚀刻工艺在所述外延结构上形成台面结构之后和在通过氧化工艺氧化所述限制层之前，通过特定清洗剂对所述台面结构进行清洗处理的时间为0.5～30min。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述清洗剂包括中性无机溶剂、中性有机溶剂、具有一定酸性或碱性但不足以蚀刻半导体能力的溶剂或溶液。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其中，形成所述台面结构的蚀刻工艺，包括干法蚀刻、湿法蚀刻和干湿法蚀刻。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述非金属隔离层的材料选自二氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中任意一种。

7.一种VCSEL激光器，其特征在于，自下而上依序包括：第二电极、衬底、缓冲层、N型掺杂的DBR、有源区、具有开孔的限制层、P型掺杂的DBR、欧姆接触层和形成于所述欧姆接触层的第一电极，其中，所述P型掺杂的DBR的侧表面为平整表面，其中，所述VCSEL激光的制备过程，包括：

形成外延结构，所述外延结构自下而上依次包括所述衬底、所述缓冲层、所述N型掺杂的DBR、所述有源区、所述限制层、所述P型掺杂的DBR和所述欧姆接触层；

通过蚀刻工艺在所述外延结构上形成台面结构；

通过特定清洗剂对所述台面结构进行清洗处理，以去除在形成所述台面结构过程中所产生的蚀刻副产物和保留在形成所述台面结构的过程中形成于所述台面结构的侧表面的原生氧化物，其中，所述清洗剂为不具有蚀刻半导体能力的溶剂或溶液；

通过氧化工艺氧化所述限制层，以形成具有特定孔径的所述开孔，其中在氧化所述限制层以形成具有特定孔径的开孔的过程中，所述P型掺杂的DBR、N型掺杂的DBR与有源区的侧表面被形成于所述P型掺杂的DBR、N型掺杂的DBR与有源区的侧表面的所述原生氧化物所保护，其中所述限制层的侧表面上的所述原生氧化物防止过度氧化；

在所述台面结构上沉积非金属隔离层；以及

在所述欧姆接触层的上表面形成第一电极和在所述衬底的下表面形成第二电极。

8.根据权利要求7所述的激光器，其中，所述非金属隔离层的材料选自二氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中任意一种。