[发明专利]一种干法刻蚀方法有效
| 申请号： | 201911367606.8 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111029254B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 李树宏;李三三;刘一川;汤伟杰 | 申请（专利权）人： | 苏州科阳光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215143 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种干法刻蚀方法，包括：提供待刻蚀晶圆并放置于刻蚀机内；由中心管路向刻蚀腔体输出工艺气体，并在中心电源功率以及第一射频功率下对工艺气体进行加压，以进行第一步刻蚀处理；由中心管路和边缘管路同时输出工艺气体，并在中心电源功率和第二射频功率下，对中心管路输出的工艺气体进行加压，同时在边缘电源功率和第二射频功率下，对边缘管路输出的工艺气体进行加压，以进行第二步刻蚀处理；其中，工艺气体包括刻蚀气体，第二步刻蚀处理中刻蚀气体的浓度小于第一步刻蚀处理中刻蚀气体的浓度，边缘电源功率小于中心电源功率，第二射频功率大于或者等于第一射频功率。该方法实现了刻蚀后的晶圆的各区域形貌较为均一。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州科阳光电科技有限公司，未经苏州科阳光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911367606.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
