[发明专利]一种干法刻蚀方法

权利要求书

1.一种干法刻蚀方法，其特征在于，包括：

提供待刻蚀晶圆，并将所述待刻蚀晶圆放置于刻蚀机内，所述刻蚀机包括刻蚀腔体、中心管路和边缘管路；所述中心管路对应所述刻蚀腔体的中心区域，所述边缘管路对应所述刻蚀腔体的边缘区域；

由所述中心管路向所述刻蚀腔体输出第一工艺气体，并在中心电源功率以及第一射频功率下对所述第一工艺气体进行加压，以对所述待刻蚀晶圆进行第一步刻蚀处理；其中，所述第一工艺气体包括刻蚀气体，所述第一步刻蚀处理中所述刻蚀气体的浓度为第一浓度；

由所述中心管路和所述边缘管路同时输出第二工艺气体，并在所述中心电源功率和第二射频功率下，对所述中心管路输出的所述第二工艺气体进行加压，同时在边缘电源功率和所述第二射频功率下，对所述边缘管路输出的所述第二工艺气体进行加压，以对所述待刻蚀晶圆进行第二步刻蚀处理；其中，所述第二工艺气体包括所述刻蚀气体，第二步刻蚀处理过程中所述刻蚀气体的浓度为第二浓度；

其中，所述边缘电源功率小于所述中心电源功率，所述第二浓度小于所述第一浓度，所述第二射频功率大于或者等于所述第一射频功率。

2.根据权利要求1所述的干法刻蚀方法，其特征在于，所述第一工艺气体还包括辅助气体，所述第二工艺气体还包括所述辅助气体；

所述第二工艺气体中辅助气体的体积流量大于所述第一工艺气体中辅助气体的体积流量。

3.根据权利要求2所述的干法刻蚀方法，其特征在于，所述第一工艺气体还包括钝化气体，所述第二工艺气体还包括所述钝化气体；

所述第二工艺气体中钝化气体的体积流量小于所述第一工艺气体中钝化气体的体积流量。

4.根据权利要求3所述的干法刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀气体为SF₆，所述钝化气体为C₄F₈，所述辅助气体为O₂。

5.根据权利要求4所述的干法刻蚀方法，其特征在于，

所述第一步刻蚀处理中，所述刻蚀气体SF₆的体积流量范围为600～700SCCM，所述钝化气体C₄F₈的体积流量范围为140～200SCCM，所述辅助气体O₂的体积流量范围为50～100SCCM；

所述第二步刻蚀处理中，所述刻蚀气体SF₆的体积流量范围为150～250SCCM，所述钝化气体C₄F₈的体积流量范围为100～150SCCM，所述辅助气体O₂的体积流量范围为100～200SCCM。

6.根据权利要求1所述的干法刻蚀方法，其特征在于，

所述中心电源功率的功率范围为2800～3500W；

所述边缘电源功率的功率范围为500～1500W；

所述第一射频功率的功率范围为5～15W；

所述第二射频功率的功率范围为15～30W。

7.根据权利要求1所述的干法刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀机内的腔室气体压强范围为150～200mTorr。

8.根据权利要求1所述的干法刻蚀方法，其特征在于，提供待刻蚀晶圆的步骤包括：

在所述待刻蚀晶圆的刻蚀面上形成光刻胶；

对所述光刻胶进行掩膜、曝光和显影，在待刻蚀晶圆上形成图形化的光刻胶保护层。

9.根据权利要求8所述的干法刻蚀方法，其特征在于，在所述待刻蚀晶圆的刻蚀面上形成光刻胶之前，还包括：

对所述待刻蚀晶圆进行减薄。

10.根据权利要求1所述的干法刻蚀方法，其特征在于，由所述中心管路向所述刻蚀腔体输出第一工艺气体之前，还包括：

对所述待刻蚀晶圆进行烘烤。