[发明专利]温度调整装置和温度调整装置的控制方法在审
| 申请号： | 201911366531.1 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111383963A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 小林启 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种温度调整装置和温度调整装置的控制方法。具备：第一温度控制部，将第一温度调整介质的温度控制为第一温度；第二温度控制部，将第二温度调整介质的温度控制为与第一温度不同的第二温度；第一流路，用于使第一温度调整介质在构件流路与第一温度控制部中流动；第二流路，用于使第二温度调整介质在构件流路与第二温度控制部中流动；第三流路，用于使第一温度调整介质不经由构件流路而在第一温度控制部流动；第四流路，用于使第二温度调整介质不经由构件流路而在第二温度控制部流动；第1三通阀，设置于第一流路与第三流路的分支部；第2三通阀，设置于第二流路与第四流路的分支部；以及第3三通阀，设置于第一流路与第二流路的分支部。 | ||
| 搜索关键词： | 温度 调整 装置 控制 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
