[发明专利]一种实时监控离子注入剂量的装置及使用方法有效

专利信息
申请号: 201911364392.9 申请日: 2019-12-26
公开(公告)号: CN111063600B 公开(公告)日: 2022-10-28
发明(设计)人: 马富林;郑刚;曹志伟 申请(专利权)人: 华虹半导体(无锡)有限公司
主分类号: H01J37/244 分类号: H01J37/244;H01J37/317;H01L21/67
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 戴广志
地址: 214028 江*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种实时监控离子注入剂量的装置及方法,将边环杯套设在晶圆工作台上,在晶圆工作台上放置晶圆;使晶圆与所述边环杯所在的平面水平扫描离子束;离子束的路径为:由晶圆左边缘经过晶圆中心再扫到晶圆右边缘;根据离子束的宽度和边环杯的尺寸计算离子束经过所述晶圆中心上方某一点时边环杯的面积S2和电流值I2;根据离子束的宽度和边环杯的尺寸计算离子束经过晶圆中心时所述边环杯的面积S1和电流值I1;根据所述面积和电流值得到离子束流值同一水平位置束流的均匀性。边环杯随晶圆上下扫描过程中会一直侦测束流,而且在运动的过程中会一直侦测到晶圆边缘直到晶圆中心的束流,不仅能实时监控出束流的值,而且能实时监控同一水平位置束流的均匀性。
搜索关键词: 一种 实时 监控 离子 注入 剂量 装置 使用方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华虹半导体(无锡)有限公司,未经华虹半导体(无锡)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911364392.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top