[发明专利]一种基于嵌套式法拉第筒的高场非对称波形离子迁移谱仪在审
| 申请号： | 201911356855.7 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111105984A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 唐飞;周金力;曾悦;王晓浩 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01J49/26 | 分类号： | H01J49/26;H01J49/02;H01J49/06 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 邸更岩 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种基于嵌套式法拉第筒的高场非对称波形离子迁移谱仪，该离子迁移谱仪包括离子源、迁移区和检测区；其中检测区由两部分组成：一部分是敏感极，作为敏感元件直接连接微弱电流检测电路，另外一部分是偏转极，用直流源来提供电压，这两部分均为导电材料。敏感极的长度小于或等于偏转电极的长度，偏转极四周封闭并嵌套在敏感极外侧，偏转极与敏感极之间留有用于气流通过的间隙。本发明提供的高场非对称波形离子迁移谱仪能大大降低外界以及偏转电极上施加的电压对敏感极的干扰，显著提高仪器的信噪比，屏蔽效果好，同时结构简单，易于集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 嵌套 法拉第 高场非 对称 波形 离子 迁移 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911356855.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
