[发明专利]一种基于嵌套式法拉第筒的高场非对称波形离子迁移谱仪在审
| 申请号： | 201911356855.7 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111105984A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 唐飞;周金力;曾悦;王晓浩 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01J49/26 | 分类号： | H01J49/26;H01J49/02;H01J49/06 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 邸更岩 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 嵌套 法拉第 高场非 对称 波形 离子 迁移 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于嵌套式法拉第筒的高场非对称波形离子迁移谱仪，包括离子源(2)、迁移区(3)和检测区(10)；所述检测区包括法拉第筒、直流源(14)和微弱电流检测电路(13)；其特征在于：所述的法拉第筒采用嵌套式结构，该法拉第筒包括敏感极(12)和嵌套在敏感极外周的偏转极(11)，该偏转极为外周封闭，且偏转极与敏感极之间留有用于气流通过的间隙；所述直流电源(14)与所述的偏转极(11)电连接，所述的敏感极(12)直接与微弱电流检测电路(13)相连。
2.按照权利要求1所述的一种基于嵌套式法拉第筒的高场非对称波形离子迁移谱仪，其特征在于：所述偏转极(11)与敏感极(12)之间的间隙为大于零小于等于5cm。
3.按照权利要求1或2所述的一种基于嵌套式法拉第筒的高场非对称波形离子迁移谱仪，其特征在于：所述敏感极(12)沿样品气流动方向的长度小于或等于偏转极(11)在此方向的长度。
4.如权利要求3所述的一种基于嵌套式法拉第筒的高场非对称波形离子迁移谱仪，其特征在于：所述敏感极(12)沿样品气流动方向的长度为大于零小于等于10cm。
5.按照权利要求1所述的一种基于嵌套式法拉第筒的高场非对称波形离子迁移谱仪，其特征在于：法拉第筒的嵌套式结构为长方体套筒式、圆柱体套筒式或球体套筒式。
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