[发明专利]一种提升高密度凸块结构清洗能力的机械装置及其清洗方法在审
| 申请号： | 201911355268.6 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111063639A | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 李恒甫;姚大平;曹立强 | 申请（专利权）人： | 上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 200000 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高密度凸块结构的清洗装置，包括：载台，所述载台用于放置待作业的晶圆；可变方向的喷嘴结构，所述可变方向的喷嘴结构处于所述载台的上方，用于将化学液输送至晶圆的表面，可变方向的喷嘴结构包括化学品输送管路、方向改变装置和化学品输出端管路，所述输送管路、方向改变装置和化学品输出端管路是液体连通的，所述输出端管路通过所述方向改变装置改变化学品的输出方向。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 高密度 结构 清洗 能力 机械 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，未经上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911355268.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：输电线路异物带电处理工具组
- 下一篇：一种金融审计数据交换标准模型
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
