[发明专利]一种提升高密度凸块结构清洗能力的机械装置及其清洗方法在审

专利信息
申请号: 201911355268.6 申请日: 2019-12-25
公开(公告)号: CN111063639A 公开(公告)日: 2020-04-24
发明(设计)人: 李恒甫;姚大平;曹立强 申请(专利权)人: 上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/02
代理公司: 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 代理人: 张东梅
地址: 200000 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 提升 高密度 结构 清洗 能力 机械 装置 及其 方法
【说明书】:

发明公开了一种高密度凸块结构的清洗装置,包括:载台,所述载台用于放置待作业的晶圆;可变方向的喷嘴结构,所述可变方向的喷嘴结构处于所述载台的上方,用于将化学液输送至晶圆的表面,可变方向的喷嘴结构包括化学品输送管路、方向改变装置和化学品输出端管路,所述输送管路、方向改变装置和化学品输出端管路是液体连通的,所述输出端管路通过所述方向改变装置改变化学品的输出方向。

技术领域

本发明涉及半导体制造及工艺技术领域。具体而言,本发明涉及一种提升高密度凸块结构清洗能力的机械装置及其清洗方法。

背景技术

随着电子产品小型化、集成化、智能化的发展,IC芯片的复杂度在大幅增加,对应的IO引脚的数量也大幅提升。随着集成电路工艺的发展,器件尺寸越来越小,集成度高,图形结构向高密度细间距方向发展,在封装工艺制造过程中,光刻胶去除和金属种子层腐蚀是再布线工艺中的重要工艺。但是在高密度细节距凸块结构中,由于存在较大深宽比,常规的清洗方式很难有效的去除图形的底部或底部侧壁的物质,如光刻胶或金属种子层等,因而凸块底部或底部侧壁的光刻胶或种子层很难去除干净,导致产品出现缺陷。

在现有的清洗装置中,用于清洗的化学液体通过喷嘴向下流向晶圆表面,但清洗效果一般,清洗的时间较长,成本较高。为了实现更好的清洗效果,本领域需要能够提升高密度凸块结构清洗能力的机械装置。

发明内容

针对现有技术中存在的问题,根据本发明的一个方面,提供一种高密度凸块结构的清洗装置,包括:

载台,所述载台用于放置待作业的晶圆;

可变方向的喷嘴结构,所述可变方向的喷嘴结构处于所述载台的上方,用于将化学液输送至晶圆的表面,可变方向的喷嘴结构包括化学品输送管路、方向改变装置和化学品输出端管路,所述输送管路、方向改变装置和化学品输出端管路是液体连通的,所述输出端管路通过所述方向改变装置改变化学品的输出方向。

在本发明的一个实施例中,所述载台带动晶圆绕中心转动。

在本发明的一个实施例中,所述可变方向的喷嘴结构绕固定轴在腔体内转动,其转动范围在程序内设定。

在本发明的一个实施例中,所述方向改变装置通过信号与制程菜单控制系统连接,以便在菜单程序中控制化学品的输出方向

根据本发明的另一个实施例,提供使用高密度凸块结构的清洗装置清洗晶圆的方法,其中所述晶圆包括凸块结构阵列以及处于凸块结构之间的待清洗物质,所述方法包括:

将晶圆放置在所述载台上;

将化学品从所述输出端管路以第一方向输送至晶圆表面;

将化学品从所述输出端管路以第二方向输送至晶圆表面,所述第二方向不同于第一方向。

本发明优势在于:通过改变化学品固定性喷嘴改为具有矢量性结构喷嘴,能够使化学液输送方向由固定型变为可变方向型,这样一来,通过改变化学品的输出方向可以直接作用于凸块底部侧壁位置处,这种装置能够有效提升化学液的腐蚀或去胶能力。

附图说明

为了进一步阐明本发明的各实施例的以上和其它优点和特征,将参考附图来呈现本发明的各实施例的更具体的描述。可以理解,这些附图只描绘本发明的典型实施例,因此将不被认为是对其范围的限制。在附图中,为了清楚明了,相同或相应的部件将用相同或类似的标记表示。

图1示出高密度凸块结构的清洗装置100的截面示意图。

图2示出根据本发明的一个实施例的高密度凸块结构的清洗装置200的截面示意图。

图3示出根据本发明的一个实施例的待处理晶圆300的截面示意图。

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