[发明专利]一种磁路可控式真空阴极电弧离子源有效
| 申请号： | 201911353751.0 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111139438B | 公开（公告）日： | 2022-01-21 |
| 发明（设计）人： | 蒋钊;肖更竭;周晖;赵栋才;杨拉毛草;许戩;张延帅;贵宾华 | 申请（专利权）人： | 兰州空间技术物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 温子云 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁路可控式真空阴极电弧离子源，包括电弧离子源壳体，电弧离子源壳体内安装阴极靶座、阴极靶和磁铁，且阴极靶固定于阴极靶座；电弧离子源壳体外壁安装磁轭；所述磁轭由具有顶面的圆筒形磁轭A和圆环形磁轭B组成；磁轭B装在磁轭A内部，且二者接触；磁轭A与电弧离子源壳体之间为自由公差配合，可沿电弧离子源壳体滑动。该弧源的磁轭位置可以调整，通过调整磁轭位置可以调节阴极靶面的磁场强度，并可同步优化阴极靶面的磁场位形分布。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁路 可控 真空 阴极 电弧 离子源 | ||
【主权项】：
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