[发明专利]一种非晶纳米晶磁片制备方法及设备有效
| 申请号： | 201911349374.3 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111009372B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 赵俊;朱权;顾小建 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/153 | 分类号： | H01F1/153;H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 322118 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非晶纳米晶磁片制备方法及设备，属于磁片加工技术领域，包括将包边材料和磁片材料间隔铺粘于承载膜；同时对包边材料和磁片材料同时进行图形化处理，以分别形成包边结构和磁片本体，并在承载膜上加工对折线，包边结构和磁片本体的形状相同，且包边结构的面积大于磁片本体的面积；将承载膜沿对对折线对折，以使包边结构贴合并完全覆盖于磁片本体。相比于现有技术，对磁片材料和包边材料同时进行加工，能够避免在对包边材料进行模切时损伤磁片，提高加工效率。并且将承载膜沿对折线对折，使得包边结构贴合并完全覆盖于磁片本体，能够提高包边结构和磁片本体的贴合精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 磁片 制备 方法 设备 | ||
【主权项】：
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