[发明专利]分栅快闪存储器的制造方法有效
| 申请号： | 201911349153.6 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN110943087B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 夏鹏;高超 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H10B41/70;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种分栅快闪存储器的制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有衬底氧化层及结构层，所述结构层中形成有第一沟槽，其中，所述结构层包括：依次堆叠的浮栅层、ONO介质层、控制栅层及第一氮化硅层；在所述第一沟槽中填充字线；对所述字线进行锗离子注入以在所述字线表面形成一非晶层；以及在所述非晶层上形成字线氧化层。通过对所述字线进行锗离子注入可以使得所述字线表面形成一非晶层，所述非晶层有利于所述字线的氧化并能够使得所述字线上生长出厚度均匀的字线氧化层，避免了在后续刻蚀控制栅及浮栅的过程中所述字线氧化层破损而造成所述字线损坏的情况，提高了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 分栅快 闪存 制造 方法 | ||
【主权项】：
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