[发明专利]分栅快闪存储器的制造方法

权利要求书

1.一种分栅快闪存储器的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底上形成有依次堆叠的衬底氧化层及结构层，所述结构层中形成有第一沟槽，其中，所述结构层包括：依次堆叠的浮栅层、ONO介质层、控制栅层及第一氮化硅层；

形成字线，所述字线填充所述第一沟槽；

对所述字线进行锗离子注入以在所述字线表面形成一非晶层；以及，

形成字线氧化层，所述字线氧化层位于所述非晶层上；

其中，锗离子的注入剂量为1×10¹⁵atom/cm²～2×10¹⁵atom/cm²，注入能量介于48KeV至52KeV，且对所述字线进行锗离子注入的同时，还对所述字线进行砷离子注入，而砷离子的注入剂量为1×10¹⁵atom/cm²～1×10¹⁶atom/cm²，注入能量介于28KeV至32KeV。

2.根据权利要求1所述的分栅快闪存储器的制造方法，其特征在于，所述字线的材质为多晶硅，对所述字线进行锗离子和砷离子注入能够使得所述字线表面的多晶硅转变为非晶硅，从而使得部分厚度的所述字线转变成所述非晶层。

3.根据权利要求1所述的分栅快闪存储器的制造方法，其特征在于，所述非晶层的厚度为

4.根据权利要求1所述的分栅快闪存储器的制造方法，其特征在于，对所述字线执行热氧化工艺以得到所述字线氧化层。

5.根据权利要求4所述的分栅快闪存储器的制造方法，其特征在于，所述热氧化工艺包括：在900℃～950℃下，通入6SLM～15SLM的氧气氧化所述字线，持续时长为300min～360min。

6.根据权利要求1所述的分栅快闪存储器的制造方法，其特征在于，所述字线氧化层的厚度为

7.根据权利要求1所述的分栅快闪存储器的制造方法，其特征在于，所述结构层与所述字线之间还形成有第一侧墙结构、第二侧墙结构以及隧穿氧化层。