[发明专利]涉及在衬底材料上形成锗原子层的方法、设备和系统在审
| 申请号： | 201911348438.8 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111540667A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | F·H·法布勒盖特;P·A·帕杜阿诺;G·S·桑胡;J·A·斯迈思三世;M·N·洛克莱 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述涉及在衬底材料上形成锗Ge原子层的方法、设备和系统。实例方法包含：将还原剂引入到半导体处理腔室中，所述半导体处理腔室容纳具有高纵横比的衬底材料；以及将锗脒基前体引入到所述半导体处理腔室中。所述实例方法进一步包含由于所述还原剂与所述锗脒基前体的反应而在所述衬底材料上形成锗原子层。 | ||
| 搜索关键词： | 涉及 衬底 材料 形成 原子 方法 设备 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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