[发明专利]涉及在衬底材料上形成锗原子层的方法、设备和系统

权利要求书

1.一种处理半导体装置的方法，其包括：

将还原剂引入(432)到半导体处理腔室(762)中，所述半导体处理腔室容纳具有高纵横比的衬底材料(202)；

将锗脒基前体引入(434)到所述半导体处理腔室中；以及

由于所述还原剂与所述锗脒基前体的反应而在所述衬底材料上形成(436)锗原子层(212)。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在于所述衬底材料(202)上形成(436)所述锗原子层(212)之后：

清洗所述半导体处理腔室(762)；

将所述还原剂引入到所述半导体处理腔室中；

将所述锗脒基前体引入到所述半导体处理腔室中；以及

由于所述还原剂与所述锗脒基前体的反应而在所述锗原子层上形成不同的锗原子层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中引入所述还原剂包括将氨引入到所述半导体处理腔室(762)中。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其进一步包括在于所述衬底材料(202)上形成(436)所述锗原子层(212)之后：

清洗所述半导体处理腔室(762)；

将硅前体引入到所述半导体处理腔室中；以及

由于所述锗原子层与所述硅前体的反应而用硅掺杂所述锗原子层。

5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括控制引入所述硅前体的时长以控制所述硅掺杂的锗原子层(212)中的锗的量。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其进一步包括在于所述衬底材料(202)上形成(436)所述锗原子层(212)之后立即经由化学气相沉积CVD在所述锗原子层上形成锗膜。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中形成(436)所述锗原子层(212)包含将所述半导体处理腔室(762)加热到约150℃与约325℃(包含端值)之间的温度。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其进一步包括在于所述衬底材料(202)上形成(436)所述锗原子层(212)之后，在所述锗原子层上形成氮化物材料(204)。

9.一种用于处理半导体装置的方法，其包括：

经由氨还原剂与锗脒基前体的反应来在具有高纵横比的衬底材料(202)上形成(542)锗原子层(212)；以及

在所述锗原子层上形成(544)硅材料(204)的保形层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中形成(542)所述锗原子层(212)包含所述衬底材料(202)上的锗的原子层沉积ALD。

11.根据权利要求9至10中任一项所述的方法，其中形成(544)所述硅材料(204)的所述保形层包含以下各项中的至少一个：

形成硅锗材料的保形层；以及

形成硅聚材料的保形层。

12.根据权利要求9至10中任一项所述的方法，其中形成(542)所述锗原子层(212)包含在前一锗原子层上沉积另一锗原子层的多个循环。

13.一种用于处理半导体装置的方法，其包括：

在衬底材料(202)中的开口(200)的侧壁和底部上沉积(652)锗原子层(212)，其中所述开口的高度(208)与所述开口的宽度(206)的纵横比在25:1到300:1(包含端值)的范围内；且

在所述开口中于所述锗原子层上形成(654)硅材料(204)的保形层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中形成(654)所述硅材料(204)的所述保形层包含在整个所述开口(200)中形成具有大致均一厚度的所述硅材料的所述保形层。