[发明专利]存储器结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种存储器结构的制造方法，包括以下步骤。在栅极堆叠结构的侧壁上形成间隙壁层。形成覆盖间隙壁层与栅极堆叠结构的保护材料层。在保护材料层上形成罩幕材料层。罩幕材料层在相邻两个栅极堆叠结构之间具有孔洞。位于栅极堆叠结构正上方的保护材料层的顶部与罩幕材料层的顶部之间的第一距离大于孔洞的顶部与孔洞正上方的罩幕材料层的顶部之间的第二距离与孔洞的底部与孔洞正下方的罩幕材料层的底部之间的第三距离的总和。对罩幕材料层进行蚀刻制程，而形成彼此分离的多个第一罩幕层。上述存储器结构的制造方法可有效地降低离子对存储器操作所造成的不良影响。