[发明专利]存储器结构及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器结构的制造方法，包括：

在基底上形成多个栅极堆叠结构；

在所述多个栅极堆叠结构的侧壁上形成间隙壁层，其中所述间隙壁层连接在相邻两个栅极堆叠结构之间；

形成覆盖所述间隙壁层与所述多个栅极堆叠结构的保护材料层；

在所述保护材料层上形成罩幕材料层，其中所述罩幕材料层在相邻两个栅极堆叠结构之间具有孔洞，且位于所述多个栅极堆叠结构正上方的所述保护材料层的顶部与所述罩幕材料层的顶部之间的第一距离大于所述孔洞的顶部与所述孔洞正上方的所述罩幕材料层的顶部之间的第二距离与所述孔洞的底部与所述孔洞正下方的所述罩幕材料层的底部之间的第三距离的总和；

对所述罩幕材料层进行蚀刻制程，而形成彼此分离的多个第一罩幕层，其中所述多个第一罩幕层覆盖位于所述多个栅极堆叠结构上的所述保护材料层，且暴露出位于相邻两个栅极堆叠结构的底部之间的部分所述保护材料层；以及

移除由所述多个第一罩幕层所暴露出的部分所述保护材料层，而形成彼此分离的多个保护层。

2.根据权利要求1所述的存储器结构的制造方法，其中所述间隙壁层在邻近于所述基底处具有阶梯结构，所述阶梯结构包括彼此相连的第一阶与第二阶，所述第一阶位于所述栅极堆叠结构与所述第二阶之间，且所述第一阶高于所述第二阶且低于所述间隙壁层的顶部。

3.根据权利要求1所述的存储器结构的制造方法，其中在移除部分所述保护材料层之后或在移除部分所述保护材料层的过程中，移除所述多个第一罩幕层。

4.根据权利要求1所述的存储器结构的制造方法，还包括：

形成覆盖所述多个保护层与所述间隙壁层的介电材料层；

在所述介电材料层上形成置换层，其中所述置换层填满相邻两个栅极堆叠结构之间的第一开口；

移除所述多个栅极堆叠结构的顶面上方的部分所述置换层，而形成暴露出部分所述介电材料层的多个第二开口；以及

在所述多个第二开口中形成多个第二罩幕层。

5.根据权利要求4所述的存储器结构的制造方法，还包括：

移除所述置换层；以及

利用所述多个第二罩幕层作为罩幕，移除位于相邻两个栅极堆叠结构的底部之间的部分所述介电材料层与部分所述间隙壁层，而在每个栅极堆叠结构的侧壁上形成间隙壁，且暴露出所述基底。

6.根据权利要求5所述的存储器结构的制造方法，其中在形成所述间隙壁的步骤中，移除位于相邻两个栅极堆叠结构的顶部之间的部分所述介电材料层，而在每个栅极堆叠结构的顶面与侧面上方分别形成第一介电层与第二介电层，且所述第一介电层与所述第二介电层彼此分离。

7.一种存储器结构，包括：

基底；

栅极堆叠结构，设置在所述基底上；

间隙壁，设置在所述栅极堆叠结构的侧壁上，其中所述间隙壁在邻近于所述基底处具有阶梯结构，所述阶梯结构包括彼此相连的第一阶与第二阶，所述第一阶位于所述栅极堆叠结构与所述第二阶之间，且所述第一阶高于所述第二阶且低于所述间隙壁的顶部；以及

保护层，覆盖所述栅极堆叠结构与所述间隙壁。

8.根据权利要求7所述的存储器结构，其中所述间隙壁暴露出所述栅极堆叠结构的顶面，且所述保护层覆盖所述栅极堆叠结构的顶面。

9.根据权利要求7所述的存储器结构，其中所述第一阶与所述第二阶的连接面包括垂直面、斜面或曲面。

10.根据权利要求7所述的存储器结构，还包括：

第一介电层，设置在所述栅极堆叠结构的顶面上方的所述保护层上；以及

第二介电层，设置在所述栅极堆叠结构的侧面上方的所述保护层上，其中所述第一介电层与所述第二介电层彼此分离。

11.根据权利要求10所述的存储器结构，其中所述第一介电层包括中央部与连接于所述中央部的两侧的两个侧部，且所述两个侧部的厚度大于所述中央部的厚度。