[发明专利]一种金刚石薄膜微波等离子体化学气相沉积使用的基片台有效

专利信息
申请号: 201911341286.9 申请日: 2019-12-24
公开(公告)号: CN113025998B 公开(公告)日: 2023-09-01
发明(设计)人: 刘胜;甘志银;汪启军;沈桥 申请(专利权)人: 广东众元半导体科技有限公司
主分类号: C23C16/458 分类号: C23C16/458;C23C16/27;C23C16/511
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 528251 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种利用热管理与磁场导引等离子结合的基片台,通过在基片台中隐埋不同导热率的材料进行热管理设计达到平衡等离子不同区域的温度,减少高温等离子体轰击衬底时形成的衬底温度水平方面的温度梯度。另外就是在基片台中安装磁铁,通过磁场对等离子导引,以及隐埋软磁材料改变等离子的形状分布,进一步提高衬底温度有效区的大小以及等离子的均匀性。本发明的优点是可以显著提高金刚石微波等离子体化学气相沉积工艺的薄膜沉积的有效面积,以及改善等离子的密度分布,装置简单,便于实施。
搜索关键词: 一种 金刚石 薄膜 微波 等离子体 化学 沉积 使用 基片台
【主权项】:
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