[发明专利]增强型高电子迁移率晶体管元件有效
| 申请号： | 201911334823.7 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112397584B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 陈智伟;温文莹 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 孙乳笋;周永君 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种增强型高电子迁移率晶体管元件，包括配置于基板上的通道层、阻挡层、介电层、栅极、源极与漏极以及金属层。阻挡层配置于通道层上，介电层配置于阻挡层上，栅极配置于介电层上。源极与漏极位于栅极两侧，且配置于通道层及阻挡层中。金属层配置于通道层及阻挡层中，金属层的上表面从阻挡层的上表面凸出，且金属层位于栅极下方，栅极的宽度大于金属层的宽度。本发明能够降低增强型高电子迁移率晶体管元件的工艺复杂度及工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 电子 迁移率 晶体管 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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