[发明专利]增强型高电子迁移率晶体管元件有效
| 申请号： | 201911334823.7 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112397584B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 陈智伟;温文莹 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 孙乳笋;周永君 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 增强 电子 迁移率 晶体管 元件 | ||
1.一种增强型高电子迁移率晶体管元件，其特征在于，包括：
通道层，配置于基板上；
阻挡层，配置于所述通道层上；
介电层，配置于所述阻挡层上；
栅极，配置于所述介电层上；
源极与漏极，位于所述栅极两侧，且配置于所述通道层及所述阻挡层中；以及
金属层，配置于所述通道层及所述阻挡层中且由高功函数金属构成，所述金属层的上表面从所述阻挡层的上表面凸出，且所述金属层位于所述栅极下方，所述栅极的宽度大于所述金属层的宽度；
所述高功函数金属至少分布于所述金属层与所述通道层及所述阻挡层接触的接口。
2.根据权利要求1所述的增强型高电子迁移率晶体管元件，其特征在于，所述金属层较接近所述源极的侧表面至所述栅极较接近所述源极的侧表面的距离为0.25μm至0.50μm，所述金属层较接近所述漏极的侧表面至所述栅极较接近所述漏极的侧表面的距离为0.25μm至0.50μm。
3.根据权利要求1所述的增强型高电子迁移率晶体管元件，其特征在于，所述高功函数金属的功函数超过4.0电子伏特。
4.根据权利要求1所述的增强型高电子迁移率晶体管元件，其特征在于，所述高功函数金属包括钛、铝、铬、钨、钼、金或铂。
5.根据权利要求1所述的增强型高电子迁移率晶体管元件，其特征在于，所述金属层的宽度为3μm至5μm。
6.根据权利要求1所述的增强型高电子迁移率晶体管元件，其特征在于，所述金属层为栅栏状，且所述金属层的数目为至少两个。
7.根据权利要求1所述的增强型高电子迁移率晶体管元件，其特征在于，所述金属层的上表面宽度与下表面宽度相同。
8.根据权利要求1所述的增强型高电子迁移率晶体管元件，其特征在于，所述金属层的上表面宽度与下表面宽度不同。
9.根据权利要求8所述的增强型高电子迁移率晶体管元件，其特征在于，所述金属层为梯形或倒梯形。
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