[发明专利]半切液晶膜及加工方法在审
| 申请号： | 201911329493.2 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111308756A | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 章思 | 申请（专利权）人： | 章思 |
| 主分类号： | G02F1/1333 | 分类号： | G02F1/1333;G02F1/1343;G02F1/133 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
一种半切液晶膜及加工方法，其包括第一基板、第一导电层、液晶层、第二导电层、第二基板，其特征在于，在所述液晶膜的边缘内预设距离处设有因半切而形成的半切断线，半切断线至少深入至第一导电层和第二导电层中的其中一层导电层。由于本发明通过半切而使得内部的两层导电层不会导通，因此，全切时，即使最外侧边缘的导电层粘连也不会导致整个液晶膜电性能失效，这样，加工过程中，全切时便可利用C0 |
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| 搜索关键词： | 液晶 加工 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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