[发明专利]半导体存储器件及其操作方法在审
| 申请号： | 201911325988.8 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111816230A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 洪尹起 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 许伟群;阮爱青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体存储器件及其操作方法。一种半导体存储器件，包括：多个存储体；多个地址储存电路，其分别对应于所述多个存储体，并且适用于储存对应存储体的刷新地址；输出控制电路，其适用于基于刷新命令信号和测试模式信号来产生输出时钟，并选择性地输出从所述地址储存电路中的任意一个输出的刷新地址或从所述多个存储体提供的存储体数据作为输出数据；输出缓冲器，其适用于基于所述输出时钟来将所述输出数据输出至多个数据输入/输出焊盘；以及选通信号发生电路，其适用于基于所述输出时钟来产生数据选通信号，以及经由数据选通焊盘来输出所述数据选通信号。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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