[发明专利]半导体存储器件及其操作方法

说明书

本申请提供一种半导体存储器件及其操作方法。一种半导体存储器件，包括：多个存储体；多个地址储存电路，其分别对应于所述多个存储体，并且适用于储存对应存储体的刷新地址；输出控制电路，其适用于基于刷新命令信号和测试模式信号来产生输出时钟，并选择性地输出从所述地址储存电路中的任意一个输出的刷新地址或从所述多个存储体提供的存储体数据作为输出数据；输出缓冲器，其适用于基于所述输出时钟来将所述输出数据输出至多个数据输入/输出焊盘；以及选通信号发生电路，其适用于基于所述输出时钟来产生数据选通信号，以及经由数据选通焊盘来输出所述数据选通信号。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年4月10日提交的申请号为10-2019-0042030的韩国专利申请的优先权，其通过引用整体合并于此。

技术领域

各个实施例涉及半导体设计技术，并且更具体地，涉及一种执行刷新操作的半导体存储器件。

背景技术

半导体存储器件中的每个存储单元由用作开关的晶体管和用于储存(与数据相对应的)电荷的电容器组成。根据在存储单元中电容器是被充电还是放电，即，电容器的存储节点的电压是高还是低，将存储单元的数据确定为“高”(即，逻辑1)或“低”(即，逻辑0)。

原则上，由于数据储存是以电容器中累积电荷的形式，因此保持数据是不需要功耗的。然而，由于电容器中充电的电荷量可能因通过晶体管的PN结的泄漏电流而减少，因此数据可能丢失。为了基本上防止这种担心，需要在数据丢失之前读取存储单元中的数据，并且根据读取的信息而再充电到正常电荷量。由于仅在周期性地重复这种操作时基本上维持数据储存，因此单元电荷的补充过程(replenishing process)被称为刷新操作。

半导体存储器件响应于外部接收的刷新命令来执行刷新操作。为了验证每个预定定时是否正常执行了刷新操作，有必要识别关于由存储器件当前访问的行(即，字线)的信息。通常，判断是否正常执行刷新操作通过每当完成刷新操作时或在特定时间点进入测试模式时读取储存在存储单元中的数据而发生。因此，需要大量的时间来验证刷新操作。此外，难以实时识别已经发生错误的行。

发明内容

各个实施例针对能够在刷新操作期间准确地验证和分析刷新操作的半导体存储器件及其操作方法。

在一个实施例中，半导体存储器件可以包括：多个存储体；多个地址储存电路，其分别对应于所述多个存储体，并且适用于储存对应存储体的刷新地址；输出控制电路，其适用于基于刷新命令信号和测试模式信号来产生输出时钟，并选择性地输出从所述地址储存电路中的任意一个输出的刷新地址或从所述多个存储体提供的存储体数据作为输出数据；输出缓冲器，其适用于基于所述输出时钟来将所述输出数据输出至多个数据输入/输出焊盘；以及选通信号发生电路，其适用于基于所述输出时钟来产生数据选通信号，以及经由数据选通焊盘来输出所述数据选通信号。

在另一个实施例中，半导体存储器件可以包括：多个存储体；多个地址储存电路，其分别对应于所述多个存储体，并且适用于储存对应存储体的刷新地址；多个地址传送电路，其分别对应于所述多个地址储存电路，并且适用于响应于多个传送使能信号而将储存在对应地址储存电路中的刷新地址作为输出地址来传送；选择电路，其适用于基于刷新命令信号和测试模式信号来选择所述输出地址或存储体数据，以作为输出数据来输出；以及输出缓冲器，其适用于基于输出时钟而经由多个输入/输出焊盘来输出所述输出数据。