[发明专利]集成有三维MIM电容的器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201911324559.9 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111180414A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 刘俊文 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种集成有三维MIM电容的器件及其制造方法。该器件包括：第一介质层，其中形成有第一导电金属结构；第二介质层，其中形成有多个三维MIM电容，每个三维MIM电容的底端与第一导电金属结构连接，多个三维MIM电容在第二介质层呈现的二维平面中呈阵列式间隔排布；每个三维MIM电容从内向外依次包括上电极、覆盖在上电极的底面和侧面的介电层和覆盖在介电层外表面的下电极层，下电极层与第一导电金属结构连接。本申请通过将多个三维MIM电容集成在第二介质层中，当需要提高单位面积的电容密度时，可以通过增加三维MIM电容的个数或者提高三维MIM电容的高度，以使得器件的二维尺寸不变的情况下提高单位面积的电容密度。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 三维 mim 电容 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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