[发明专利]集成有三维MIM电容的器件及其制造方法

权利要求书

1.一种集成有三维MIM电容的器件，其特征在于，包括：

第一介质层，所述第一介质层中形成有第一导电金属结构；

第二介质层，所述第二介质层中形成有多个三维MIM电容，每个所述三维MIM电容的底端与所述第一导电金属结构连接，所述多个三维MIM电容在第二介质层呈现的二维平面中呈阵列式间隔排布；

其中，所述每个三维MIM电容从内向外依次包括上电极、覆盖在所述上电极的底面和侧面的介电层和覆盖在所述介电层外表面的下电极层，所述下电极层与所述第一导电金属结构连接。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述上电极的高度大于其宽度。

3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，所述下电极层的构成材料包括氮化钛。

4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述介电层的构成材料包括氮化硅。

5.根据权利要求4所述的器件，其特征在于，还包括：

第二导电金属结构，所述第二导电金属结构形成于所述第二介质层中，所述第二导电金属结构底端与所述第一导电金属结构连接；

第三介质层，所述第三介质层形成于所述第二介质层上，所述第三介质层中形成有上电极引线结构和下电极引线结构，所述上电极引线结构的底端与对应位置的上电极连接，所述下电极引线结构的底端与所述第二导电金属结构连接；

其中，所述上电极、所述第一导电金属结构和所述第二导电金属结构的构成材料包括铜。

6.根据权利要求5所述的器件，其特征在于，所述第二导电金属结构包括底端与所述第一导电金属结构连接的铜导电孔和所述铜导电孔上连有的铜导电引线。

7.根据权利要求5所述的器件，其特征在于，所述下电极引线结构包括底端与所述第二导电金属结构连接的铜导电通孔和与所述铜导电通孔的顶端连接的铜导电引线。

8.根据权利要求5所述的器件，其特征在于，所述上电极引线结构包括多个铜导电通孔和铜导电引线，每个所述铜导电通孔的底端分别与对应的上电极连接，所述多个铜导电通孔上共同连接至所述铜导电引线。

9.根据权利要求4所述的器件，其特征在于，还包括：

第二导电金属结构通孔，所述第二导电金属结构通孔形成于所述第二介质层中，所述第二导电金属结构通孔的底端与所述第一导电金属结构连接；

第三介质层，所述第三介质层形成于所述第二介质层上，所述第三介质层中形成有多个导电引线，每个所述导电引线的底端与对应位置的上电极连接；

第四介质层，所述第四介质层形成于所述第三介质层上，所述第四介质层中形成有多个上电极导电通孔，每个所述上电极导电通孔的底端与对应位置的第二导电金属结构引线连接；

第五介质层，所述第五介质层形成于所述第四介质层上，所述第五介质层中形成有多个上电极导电引线，每个所述上电极导电引线的底部与对应位置的上电极导电通孔的上端连接；

其中，所述第一导电金属结构、所述导电引线和所述上电极导电引线的构成材料包括铝；所述上电极、所述第二导电金属结构通孔和所述上电极导电通孔的构成材料包括钨。

10.根据权利要求9所述的器件，其特征在于，所述第三介质层中还形成有第二导电金属结构引线，所述第二导电金属结构引线的底端与所述第二导电金属结构通孔连接；

所述第四介质层中还形成有下电极导电通孔，所述下电极导电通孔的底端与所述第二导电金属结构引线连接；

所述第五介质层中还形成有下电极导电引线，所述下电极导电引线的底端与所述下电极导电通孔连接；

其中，所述第二导电金属结构引线和所述下电极导电引线的构成材料包括铝；所述下电极导电通孔的构成材料包括钨。