[发明专利]一种薄壁轴承套圈真空渗碳方法在审

专利信息
申请号: 201911320030.X 申请日: 2019-12-19
公开(公告)号: CN111020464A 公开(公告)日: 2020-04-17
发明(设计)人: 付中元;吴玉成;赵开礼;安敏;刘永宝;王教翔;于遨海;穆强;夏云志;王伟錡;索志鹏;于祎航;初光强;王瑞庆 申请(专利权)人: 中国航发哈尔滨轴承有限公司
主分类号: C23C8/34 分类号: C23C8/34;C23C8/80;C21D9/40;C21D1/78
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 岳泉清
地址: 150025 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种薄壁轴承套圈真空渗碳方法,它涉及一种真空渗碳方法。本发明是为了解决现有气氛渗碳预氧化处理效果难以控制,渗碳后表面存在大量氧化皮与硬度软化区,滚道表面硬度、表面碳浓度及渗层深度均达不到理想要求,产品质量不稳定,轴承表面耐磨性降低的问题。方法:一、真空渗碳;二、高温回火;三、淬火;四、一次冷处理;五、一次回火;六、二次冷处理;七、二次回火;八、三次回火。本发明用于薄壁轴承套圈真空渗碳。
搜索关键词: 一种 薄壁 轴承 真空 渗碳 方法
【主权项】:
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