[发明专利]一种薄壁轴承套圈真空渗碳方法

权利要求书

1.一种薄壁轴承套圈真空渗碳方法，其特征在于它是按以下步骤进行的：

一、真空渗碳：

①、将薄壁轴承套圈随炉升温至950℃～980℃，并在温度为950℃～980℃的条件下，保温30min～60min；

所述的薄壁轴承套圈的材质为G13Cr4Mo4Ni4V；

②、在温度为950℃～980℃、C₂H₂气体流量为1000L/h～2000L/h及C₂H₂气体压力为5mbar～20mbar的条件下，强渗700s～900s；

③、在温度为950℃～980℃、氮气气体流量为1000L/h～2000L/h及氮气气体压力为5mbar～20mbar的条件下，扩散6000s～8000s；

④、按步骤一②及③重复8次～15次；

⑤、在氮气气体压力为2bar～5bar的条件下气冷至室温，得到真空渗碳后的薄壁轴承套圈；

二、高温回火：

将真空渗碳后的薄壁轴承套圈随炉升温至650℃～700℃，并在温度为650℃～700℃的条件下，保温360min～450min，然后在氮气压力为1.0bar～2.0bar的条件下气冷至室温，再随炉升温至650℃～700℃，并在温度为650℃～700℃的条件下，保温360min～450min，然后在氮气压力为1.0bar～2.0bar的条件下气冷至室温，得到高温回火后的薄壁轴承套圈；

三、淬火：

将高温回火后的薄壁轴承套圈随炉升温至840℃～860℃，并在温度为840℃～860℃的条件下，保温30min～40min，然后将温度由840℃～860℃升温至1070℃～1120℃，并在温度为1070℃～1120℃的条件下，保温30min～40min，最后通入氮气冷却至60℃以下，得到淬火后的薄壁轴承套圈；

四、一次冷处理：

将淬火后的薄壁轴承套圈在1.5h内进行一次冷处理，一次冷处理具体为将淬火后的薄壁轴承套圈随炉降温至-70℃～-80℃，并在温度为-70℃～-80℃的条件下，保温90min～150min，然后空气升温至室温，得到一次冷处理后的薄壁轴承套圈；

五、一次回火：

将一次冷处理后的薄壁轴承套圈在2h内进行一次回火，一次回火具体为将一次冷处理后的薄壁轴承套圈随炉升温至540℃～550℃，并在温度为540℃～550℃的条件下，保温120min～150min，然后通入氮气冷却至60℃以下，得到一次回火后的薄壁轴承套圈；

六、二次冷处理：

将一次回火后的薄壁轴承套圈随炉降温至-70℃～-80℃，并在温度为-70℃～-80℃的条件下，保温90min～150min，然后空气升温至室温，得到二次冷处理后的薄壁轴承套圈；

七、二次回火：

将二次冷处理后的薄壁轴承套圈随炉升温至540℃～550℃，并在温度为540℃～550℃的条件下，保温120min～150min，然后通入氮气冷却至60℃以下，得到二次回火后的薄壁轴承套圈；

八、三次回火：

将二次回火后的薄壁轴承套圈随炉升温至540℃～550℃，并在温度为540℃～550℃的条件下，保温120min～150min，然后通入氮气冷却至60℃以下，即完成薄壁轴承套圈真空渗碳方法。

2.根据权利要求1所述的一种薄壁轴承套圈真空渗碳方法，其特征在于步骤一①中所述的薄壁轴承套圈壁厚为2.5mm～3.5mm。

3.根据权利要求1所述的一种薄壁轴承套圈真空渗碳方法，其特征在于步骤一①中将薄壁轴承套圈随炉升温至960℃～980℃，并在温度为960℃～980℃的条件下，保温50min～60min。

4.根据权利要求1所述的一种薄壁轴承套圈真空渗碳方法，其特征在于步骤一②中在温度为960℃～980℃、C₂H₂气体流量为1500L/h～2000L/h及C₂H₂气体压力为8mbar～20mbar的条件下，强渗800s～900s。