[发明专利]一种小比导通电阻的MOSFET理想开关结构在审
| 申请号： | 201911306118.6 | 申请日： | 2019-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN111106161A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 廖永波;李平;曾祥和;胡兆晞;唐瑞枫;林凡;李垚森;邹佳瑞;聂瑞宏;彭辰曦;冯轲 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 新型小比导通电阻的MOSFET理想开关结构，涉及半导体器件以及相关的工艺实现方法。本发明的新型小比导通电阻的MOSFET理想开关采用纵向、四面栅极的器件结构。本发明所要解决的关键技术问题是：提供一种新型小比导通电阻的MOSFET理想开关结构及其工艺实现方法，通过采用N型MOSFET、N‑漂移区和四面沟道的结构，以及半导体材料的选择，增大了导通电流密度，降低了导通电阻，突破了摩尔定律，消除了寄生BJT，大幅减小了器件面积；同时，优化了工艺实现流程，使器件实现的工艺简化，且不再受光刻精度的限制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通电 mosfet 理想 开关 结构 | ||
【主权项】：
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