[发明专利]一种小比导通电阻的MOSFET理想开关结构在审
| 申请号： | 201911306118.6 | 申请日： | 2019-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN111106161A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 廖永波;李平;曾祥和;胡兆晞;唐瑞枫;林凡;李垚森;邹佳瑞;聂瑞宏;彭辰曦;冯轲 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 通电 mosfet 理想 开关 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种小比导通电阻的MOSFET理想开关结构，最下方为N+漏极区域，位于漏极区域上方的是N-轻掺杂层，N-轻掺杂层上方是P型沟道半导体区，P型沟道半导体区上方的是N+源极区域，四周环绕的是栅介质层和栅电极，其特征在于，栅电极可以是N+多晶硅，或者金属，或者以上两者的组合。
2.如权利要求1所述的一种小比导通电阻的MOSFET理想开关结构，其特征在于，所述的N+源极区域为单晶Ge、多晶Ge、赝晶Ge、SiGe、碲镉汞、InP等窄禁带半导体材料。
3.如权利要求1所述的一种小比导通电阻的MOSFET理想开关结构，其特征在于，所述的沟道半导体区材料为Si材料，源极区域为窄禁带半导体材料；或者，沟道半导体区材料为宽禁带半导体材料，源极区域为窄禁带半导体材料；或者，沟道半导体区材料为宽禁带半导体材料，源极区域为Si材料。
4.如权利要求1所述的一种小比导通电阻的MOSFET理想开关结构，其特征在于，所述的P型沟道半导体区不用光刻定义，其沟道长度不受光刻精度的限制。
5.如权利要求1所述的一种小比导通电阻的MOSFET理想开关结构，其特征在于，设置有N-轻掺杂层，器件的耐压由N-轻掺杂层的浓度和厚度决定。
6.如权利要求1所述的一种小比导通电阻的MOSFET理想开关结构，其特征在于，四周环绕的是栅介质层和栅电极，导通时具有四面沟道。
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